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M28F201-150XK3R	文件：179.07 Kbytes Page：21 Pages	2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F201 FLASH Memory product is a nonvolatile memories which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is organised as 256K bytes. It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provide a simple microprocessor in 文件：179.07 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M28F201-150XK3TR	文件：179.07 Kbytes Page：21 Pages	2 Mb 256K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F201 FLASH Memory product is a nonvolatile memories which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is organised as 256K bytes. It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provide a simple microprocessor in 文件：179.07 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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M28W160CT90N1内存芯片	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP	ST/意法上传：深圳市亿顺芯科技有限公司	ST/意法

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更多M28F201-150XK3R供应商更新时间2026-10-16 16:01:00