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M28F101-120N1	文件：197.89 Kbytes Page：23 Pages	1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is or ganised as 128K bytes of 8 bits.It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocess 文件：197.89 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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M28F101-150P1B存储IC	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-32	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
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详细参数

型号：
M28F101-120N1
功能描述：
闪存 1M(128Kx8) 120ns
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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