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M28F101-100K1	文件：197.89 Kbytes Page：23 Pages	1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY DESCRIPTION The M28F101 FLASH Memory is a non-volatile memory which may be erased electrically at the chip level and programmed byte-by-byte. It is or ganised as 128K bytes of 8 bits.It uses a command register architecture to select the operating modes and thus provides a simple microprocess 文件：197.89 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M28F101-150P1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DIP-32	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
M28F101-150P1B存储IC	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DIP-32	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
M28W160CB70N6E	文件：0 bytes Page：0 Pages	MICRON TSSOP	Micron 美光上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	Micron
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详细参数

型号：
M28F101-100K1
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY

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更多M28F101-100K1供应商更新时间2025-10-6 15:10:00

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