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M27128AF1	文件：107.42 Kbytes Page：10 Pages	NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM DESCRIPTION TheM27128Aisa131,072bitUVerasableandelectricallyprogrammablememoryEPROM.Itisorganizedas16,384wordsby8bits. TheM27128Aishousedina28PinWindowCeramicFrit-SealDual-in-Linepackage.Thetransparentlidallowstheusertoexposethechiptoultravioletlight	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M27128AF1	文件：91.76 Kbytes Page：9 Pages	NMOS 16K 2K x 8 UV EPROM DESCRIPTION TheM2716isa16,384bitUVerasableandelectricallyprogrammablememoryEPROM,ideallysuitedforapplicationswherefastturnaroundandpatternexperimentationareimportantrequirements. TheM2716ishousedina24pinWindowCeramicFrit-SealDual-in-Linepackage.Thetranspar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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M27128AF1

文件：107.42 Kbytes

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NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM

DESCRIPTION TheM27128Aisa131,072bitUVerasableandelectricallyprogrammablememoryEPROM.Itisorganizedas16,384wordsby8bits. TheM27128Aishousedina28PinWindowCeramicFrit-SealDual-in-Linepackage.Thetransparentlidallowstheusertoexposethechiptoultravioletlight

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M27128AF1

文件：91.76 Kbytes

Page：9 Pages

NMOS 16K 2K x 8 UV EPROM

DESCRIPTION TheM2716isa16,384bitUVerasableandelectricallyprogrammablememoryEPROM,ideallysuitedforapplicationswherefastturnaroundandpatternexperimentationareimportantrequirements. TheM2716ishousedina24pinWindowCeramicFrit-SealDual-in-Linepackage.Thetranspar

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详细参数

型号：
M27128AF1
功能描述：
可擦除可编程ROM DISC BY STM 6/01 DIP-28 16KX8 250NS
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
存储容量：
1024 bit
组织：
1 K x 1
工作电流：
5 uA
工作电源电压：
2.8 V to 6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-92

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