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M2045S-E3SLASH4W	文件：123.36 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 260 °C, 40 s • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL A 文件：123.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多M2045S-E3SLASH4W供应商更新时间2025-10-6 11:10:00