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M2045S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 260 °C, 40 s • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC TYPICAL A

文件:123.36 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

M2045S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:136.13 Kbytes 页数:4 Pages

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威世科技

M2045S-E3/4W

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

M21121G-11

MINDSPE
BGA芯片

MINDSPE

M21121G-11

MNDSPEED
BGA

MNDSPEED

产品属性

  • 产品编号:

    M2045S-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AB

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更多M2045S-E3/4W供应商 更新时间2025-10-7 16:50:00