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UPA1708	文件：226.46 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement switch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1708	文件：59.23 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=730pF(T	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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