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M10082040054X0PSAY集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
M10082040054X0PSAY |
参数属性 | M10082040054X0PSAY 封装/外壳为8-SOIC(0.209",5.30mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC |
功能描述 | High Performance Serial MRAM Memory |
文件大小 |
1.14047 Mbytes |
页面数量 |
52 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-3 18:30:00 |
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M10082040054X0PSAY规格书详情
Features
Interface
• Serial Peripheral Interface QSPI (4-4-4)
• Single Data Rate Mode: 108MHz
• Double Data Rate Mode: 54MHz
Technology
• 40nm pMTJ STT-MRAM
Virtually unlimited Endurance and Data Retention (see
Endurance and Data Retention specification in Table 31)
Density
• 4Mb, 8Mb, 16Mb
Operating Voltage Range
• VCC: 1.71V – 2.00V
• VCC: 2.70V – 3.60V
Operating Temperature Range
• Industrial: -40°C to 85°C
• Industrial Plus: -40°C to 105°C
Packages
• 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)
• 8-pin SOIC (5.2mm x 5.2mm)
Data Protection
• Hardware Based: Write Protect Pin (WP#)
Software Based: Address Range Selectable through
Configuration bits (Top/Bottom, Block Protect[2:0])
M10082040054X0PSAY属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的M10082040054X0PSAY存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
M10082040054X0PSAY
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
RAM
- 技术:
MRAM(磁阻式 RAM)
- 存储容量:
8Mb(2M x 4)
- 电压 - 供电:
1.71V ~ 2V
- 工作温度:
-40°C ~ 105°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
DFN8EP(5x6) |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS(瑞萨) |
23+ |
8-SOIC (5.23L X 5.28W X 1.270P |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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Renesas Electronics America In |
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8-SOIC(0.209,5.30mm 宽) |
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