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M1_V01	文件：325.72 Kbytes Page：3 Pages	SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Lowreverseleakage Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10sec	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
M1_V01	文件：451.4 Kbytes Page：2 Pages	STANDARD RECTIFIER Features ·Lowprofilepackage ·Idealforautomatedplacement ·Glasspassivatedchipjunctions ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowleakagecurrent ·Highforwardsurgecapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed: 350℃/10seconds,atterminals ·Componentinaccordanceto RoHS200	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
M1_V02	文件：527.46 Kbytes Page：3 Pages	SUFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Lowreverseleakage Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10sec	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
M100	文件：92.2 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURE PLASTIC SILICON RECTIFIER [GENLINSTR/POWER] MINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
M1004204	文件：1.14047 Mbytes Page：52 Pages	High Performance Serial MRAM Memory Features Interface •SerialPeripheralInterfaceQSPI(4-4-4) •SingleDataRateMode:108MHz •DoubleDataRateMode:54MHz Technology •40nmpMTJSTT-MRAM VirtuallyunlimitedEnduranceandDataRetention(see EnduranceandDataRetentionspecificationinTable31) Density •4Mb,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
M10042040054X0ISAR	文件：1.14047 Mbytes Page：52 Pages	High Performance Serial MRAM Memory Features Interface •SerialPeripheralInterfaceQSPI(4-4-4) •SingleDataRateMode:108MHz •DoubleDataRateMode:54MHz Technology •40nmpMTJSTT-MRAM VirtuallyunlimitedEnduranceandDataRetention(see EnduranceandDataRetentionspecificationinTable31) Density •4Mb,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
M10042040054X0ISAY	文件：1.14047 Mbytes Page：52 Pages	High Performance Serial MRAM Memory Features Interface •SerialPeripheralInterfaceQSPI(4-4-4) •SingleDataRateMode:108MHz •DoubleDataRateMode:54MHz Technology •40nmpMTJSTT-MRAM VirtuallyunlimitedEnduranceandDataRetention(see EnduranceandDataRetentionspecificationinTable31) Density •4Mb,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
M10042040054X0IWAR	文件：1.14047 Mbytes Page：52 Pages	High Performance Serial MRAM Memory Features Interface •SerialPeripheralInterfaceQSPI(4-4-4) •SingleDataRateMode:108MHz •DoubleDataRateMode:54MHz Technology •40nmpMTJSTT-MRAM VirtuallyunlimitedEnduranceandDataRetention(see EnduranceandDataRetentionspecificationinTable31) Density •4Mb,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
M10042040054X0IWAY	文件：1.14047 Mbytes Page：52 Pages	High Performance Serial MRAM Memory Features Interface •SerialPeripheralInterfaceQSPI(4-4-4) •SingleDataRateMode:108MHz •DoubleDataRateMode:54MHz Technology •40nmpMTJSTT-MRAM VirtuallyunlimitedEnduranceandDataRetention(see EnduranceandDataRetentionspecificationinTable31) Density •4Mb,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
M10042040054X0PSAR	文件：1.14047 Mbytes Page：52 Pages	High Performance Serial MRAM Memory Features Interface •SerialPeripheralInterfaceQSPI(4-4-4) •SingleDataRateMode:108MHz •DoubleDataRateMode:54MHz Technology •40nmpMTJSTT-MRAM VirtuallyunlimitedEnduranceandDataRetention(see EnduranceandDataRetentionspecificationinTable31) Density •4Mb,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
M1
制造商：
Carlo Gavazzi
功能描述：
TRANSFORMER CURRENT
5：
0.5A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	M1	MICROCHIP(美国微芯)	24+	CASE-1	907	代工代料,一站式配套服务。	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	M1	MPS	23+	QFN	5000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳新景润电子科技有限公司	M1	群鑫	22+	SMA	30547	原装正品一级代理	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	M1	MCC/美微科	2019+PB	SMAE	89000	原装正品可含税交易	询价
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深圳市拓亿芯电子有限公司	M1	TOSHIBA/东芝	23+	DO214	15000	全新原装现货,价格优势	询价

更多M1供应商更新时间2025-7-21 16:12:00

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