M02N60中文资料N-Channel MOSFET 2.0A数据手册Stanson规格书
M02N60规格书详情
描述 Description
FEATURE
Robust High Voltage Temination.
Avalanche Energy Specified
Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
技术参数
- 型号:
M02N60
- 制造商:
STANSON
- 制造商全称:
STANSON
- 功能描述:
N Channel MOSFET
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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