M01N60中文资料N Channel MOSFET 1.0A数据手册Stanson规格书
M01N60规格书详情
描述 Description
[STANSON TECHNOLOGY]Robust High Voltage Temination.
Avalanche Energy Specified
Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
技术参数
- 型号：
M01N60
- 功能描述：
N Channel MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
SOT-252 |
16900 |
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ST |
25+ |
SOT-252 |
16900 |
原装，请咨询 |
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IR |
25+ |
SOT23-3 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
UBIQ |
23+ |
SOP-8 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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STANSON |
12+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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ST |
23+ |
SOT-252 |
16900 |
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询价 | ||
NQ(能驱) |
2447 |
Module |
31500 |
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MACOM |
23+ |
NA |
25000 |
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台产 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
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台产 |
TO-251 |
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