512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

GENERAL DESCRIPTION The LY62L5128 is a 4,194,304-bit low power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 8 bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. The LY62L

文件：248.88 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：404 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：1.03524 Mbytes 页数：22 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：404 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：1.03524 Mbytes 页数：22 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：404 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：1.03524 Mbytes 页数：22 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：404 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：404 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

文件：404 Kbytes 页数：17 Pages

LYONTEK

来扬科技