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NKT5506	文件：739.95 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor/DiodePowerModules	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
P5506BDA	文件：220.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P5506BDA	文件：301.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P5506BDA	文件：811.24 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P5506BDG	文件：484.32 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P5506BDG	文件：1.00315 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
LX5506M
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
InGaP HBT 4.5 – 6GHz Power Amplifier

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