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TA1725A	文件：231.23 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter289MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TA1725A	文件：154.07 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter289.0MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TZ1725A	文件：437.63 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.528.63636MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforcustomerforuseinwirelesscommunications devices,espec	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UC1725	文件：253.12 Kbytes Page：5 Pages	IsolatedHighSideFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1725	文件：247.83 Kbytes Page：5 Pages	IsolatedHighSideFETDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC1725	文件：294.32 Kbytes Page：5 Pages	IsolatedHighSideFETDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA1725	文件：64.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisµPA1725isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1725	文件：291.55 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.5A) RDS(on)3=30.0mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=950pFTYP. •Buil	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1725G	文件：291.55 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=3.5A) RDS(on)3=30.0mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=950pFTYP. •Buil	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1725G	文件：64.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisµPA1725isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) RDS(on)2=22.0mΩMAX.(VGS=4.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
LX1725
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
15W+15W Stereo Class-D Amplifier Filterless 30W Mono in BTL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LX1725供应商更新时间2025-7-16 15:30:00

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