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LWTN-36B1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	Power Transducer Series L-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
HZ36B1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZU36B1	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
LWTN-36B1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
PZU36B1	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RJU36B1WDPF	文件：131.75 Kbytes Page：4 Pages	360V-20A-DualDiodeUltraFastRecoveryDiode Features •Ultrafastreverserecoverytime:trr=40nstyp.(atIF=10A,di/dt=100A/μs) •Lowforwardvoltage:VF=1.1Vtyp.(atIF=10A) •Lowreversecurrent:IR=1μAmax.(atVR=360V)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

更多LWTN-36B1SLASHQ供应商更新时间2025-7-23 16:56:00