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APT4585CN	文件：297.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4585GN	文件：297.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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CD4585BMS	文件：349.24 Kbytes Page：8 Pages	CMOS4-BitMagnitudeComparator Features •HighVoltageType(20VRating) •Expansionto8,12,16...4NBitsbyCascadingUnits •MediumSpeedOperation -ComparesTwo4-BitWordsin180ns(Typ.)at10V •100TestedforQuiescentCurrentat20V •StandardizedSymmetricalOutputCharacteristics •5V,10Vand15VParamet	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CD4585BMS	文件：90.12 Kbytes Page：8 Pages	CMOS4-BitMagnitudeComparator Description CD4585BMSisa4-bitmagnitudecomparatordesignedforuseincomputerandlogicapplicationsthatrequirethecomparisonoftwo4-bitwords.Thislogiccircuitdetermineswhetherone4-bitword(BinaryorBCD)is“lessthan”,“equalto”or“greaterthan”asecond4-bitword. Feature	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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