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LTU02N65A中文资料场效应管(MOSFET)数据手册CRMICRO规格书

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厂商型号

LTU02N65A

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

CRMICRO China Resources Microelectronics Limited

中文名称

华润微电子 华润微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-3 17:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :LTU02N65A

  • 生产厂家

    :CRMICRO

  • 漏源电压(Vdss)

    :650V

  • 连续漏极电流(Id)

    :2A

  • 功率(Pd)

    :55W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :9nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :290pF@25V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :6pF@25V

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

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