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IH-064ES	文件：1.17395 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIof[EC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Sn	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IK-064C-W	文件：1.15955 Mbytes Page：2 Pages	IF/IKSERIES Features -Ideallysuitedproductsthatmustconformtopart15, FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Snapi	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IK-064D-W	文件：1.15955 Mbytes Page：2 Pages	IF/IKSERIES Features -Ideallysuitedproductsthatmustconformtopart15, FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Snapi	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IM064CP	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	IMSERIES Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IM064DP	文件：1.02077 Mbytes Page：2 Pages	IMSERIES Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Plasticcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -	DITDONG IL TECHNOLOGY LTD. 东益科技东益科技有限公司	DIT
IRF064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI064	文件：230.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI064	文件：226.56 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=60V,Rds(on)=0.017ohm,Id=45A*) HEXFET®TRANSISTORN-CHANNEL AVALANCHEENERGYRATEDANDdv/dtRATED 60Volts,0.017OhmHEXFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM064	文件：198.17 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFM064	文件：277.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP064	文件：1.69898 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：444.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP064	文件：931.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Ultralowon-resistance •Verylowthermalresistance •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9991	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：1.72153 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP064	文件：1.7043 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFP064	文件：171.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.009ohm,Id=70*A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP064N	文件：107.54 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.008ohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigne	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP064N	文件：355.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多LTS064供应商更新时间2024-5-30 10:18:00

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