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LTN/GTVA101K42EV-V1中文资料Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, 960 – 1400 MHz数据手册MACOM规格书
| 厂商型号 |
LTN/GTVA101K42EV-V1 |
| 参数属性 | LTN/GTVA101K42EV-V1 包装为散装；类别为开发板套件编程器的射频评估开发套件开发板；产品描述：GTVA101K42EV DEVELOPMENT BOARD |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, 960 – 1400 MHz |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 11:10:00 |
| 人工找货 | LTN/GTVA101K42EV-V1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LTN/GTVA101K42EV-V1规格书详情
描述 Description
Input matched Typical Pulsed CW performance; 960 – 1215 MHz; 50 V; single side; 128 μs pulse width; 10% duty cycle; Output power at P3dB = 1400 W; Efficiency = 68%; Gain = 17 dB Pb-free and RoHS compliant
特性 Features
• Input matched
•Typical Pulsed CW performance; 960 – 1215 MHz; 50 V; single side; 128 μs pulse width; 10% duty cycle; Output power at P3dB = 1400 W; Efficiency = 68%; Gain = 17 dB
•Pb-free and RoHS compliant
应用 Application
• Radar Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：LTN/GTVA101K42EV-V1
- 生产厂家
：MACOM
- Peak Output Power Range
：500 W\>> 500 W
- Frequency Range
：0 - 1.35 GHz
- Technology
：GaN on SiC
- Frequency (Min)
：0.96 GHz
- Frequency (Max)
：1.215 GHz
- Peak Output Power
：1400 W
- Gain
：17 dB
- Efficiency
：68%
- Operating Voltage
：50 V
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Package Type
：Bolt Down
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMSUNG/三星 |
23+ |
SOT363 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
SOT363 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NS |
20+ |
QFP |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
NA/ |
4200 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
65200 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
24+ |
9000 |
询价 | ||||
SAMSUANG |
15+ |
LCD |
87 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
KODENSHI |
20+ |
DIP |
88720 |
红外全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
SOT363 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 |
