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PTFB241402F	文件：556.83 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor140W,2300??2400MHz Description ThePTFB241402FintegratestwoLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.Itisdesignedforcellularamplifierapplicationsinthe2300to2400MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermalperformanceandsuperior	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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PTFB241402F

文件：556.83 Kbytes

Page：13 Pages

HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor140W,2300??2400MHz

Description ThePTFB241402FintegratestwoLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.Itisdesignedforcellularamplifierapplicationsinthe2300to2400MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermalperformanceandsuperior

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更多LTD/PTFB241402F供应商更新时间2024-6-19 15:00:00

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