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MJE13003A	文件：146.01 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) •CollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0(Max)@IC=1.0A APPLICATIONS •Designedforuseinhigh-voltage,high-speed,powerswitching ininductivecircuit,theyareparticularlysuitedfor 115an	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE13003A	文件：514.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1.25WattsofPowerDissipatio	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE13003B	文件：211.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof1.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage700V •Operatingandstorage	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE13003B	文件：183.92 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageFast-switchingNPNPowerTransistor DESCRIPTION: ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. TheMJE13003Bis	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MJE13003B	文件：82.87 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATION. SWITCHINGREGULATORAPPLICATION. HIGHVOLTAGEANDHIGHSPEED SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ExcellentSwitchingTimes :ton=0.5μS(Max.),tf=0.7μS(Max.),atIC=1A •HighCollectorVoltage:VCBO=700V.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJE13003B	文件：264.91 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJE13003B	文件：212.15 Kbytes Page：4 Pages	NPNMJESERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MJE13003BR	文件：391.41 Kbytes Page：4 Pages	NPNMJESERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MJE13003BR	文件：391.57 Kbytes Page：4 Pages	NPNMJESERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MJE13003BRH	文件：391.41 Kbytes Page：4 Pages	NPNMJESERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC

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