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SBN13001	文件：333.78 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBN13001	文件：526.73 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingregulator,inverteranddeflectioncircuit. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical120ns@100mA) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SGM13001A	文件：410.23 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS GENERALDESCRIPTION TheSGM13001Aisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASS,Galileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers18.2dBgainatanextremelylownoise figureof0.9dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1160MHzto 1300MHz	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM13001B	文件：398.7 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS GENERALDESCRIPTION TheSGM13001Bisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASS,Galileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers18.3dBgainatanextremelylownoise figureof0.9dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1550MHzto 1615MHz.	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SGM13001C	文件：431.64 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS ENERALDESCRIPTION TheSGM13001Cisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASS,Galileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers19.1dBgainatanextremelylownoise figureof0.83dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1550MHzto 1615MHz.	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
ST13001	文件：162.26 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forhighvoltageandhighspeedswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STC13001	文件：91.91 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
T-13001	文件：57.57 Kbytes Page：2 Pages	10BASE-TTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TS13001	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	GalvanicIsolatedBlocking56VPowerLoadSwitch Description TheTS13001isagalvanicisolated56Vpowerswitchdevicewithbi-directionalblocking.Thedeviceincludesasingleintegrated110mOhmhighvoltageFETallowinghighefficiencyswitchingofpowerloadsorotherhighcurrentapplications.Theinputpin,CLK,controlstheturnon/off	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
TS13001	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageNPNTransistor BVCEO=400V BVCBO=500V Ic=0.1A VCE(SAT),=0.5V@Ic/Ib=50mA/10mA Features ◇Highvoltage. ◇Highspeedswitching Structure ◇Silicontriplediffusedtype. ◇NPNsilicontransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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