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LTC7000JMSE-1#PBF集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

LTC7000JMSE-1#PBF
厂商型号

LTC7000JMSE-1#PBF

参数属性

LTC7000JMSE-1#PBF 封装/外壳为16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)12 引线,裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS

功能描述

Fast 150V Protected High Side NMOS Static Switch Driver
FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS

丝印标识

70001

封装外壳

MSOP / 16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)12 引线,裸露焊盘

文件大小

1.94877 Mbytes

页面数量

30

生产厂商 Analog Devices
企业简称

AD亚德诺

中文名称

亚德诺半导体技术有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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LTC7000JMSE-1#PBF规格书详情

LTC7000JMSE-1#PBF属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的LTC7000JMSE-1#PBF栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

DESCRIPTION

The LTC®7000/LTC7000-1 is a fast high side N-channel MOSFET gate driver that operates from input voltages up to 135V. It contains an internal charge pump that fully enhances an external N-channel MOSFET switch, allowing it to remain on indefinitely.

FEATURES

■ Wide Operating VIN: 3.5V to 135V (150V Abs Max)

■ 1Ω Pull-Down, 2.2Ω Pull-Up for Fast Turn-On and Turn-Off Times with 35ns Propagation Delays

■ Internal Charge Pump for 100 Duty Cycle

■ Short-Circuit Protected

■ Adjustable Current Trip Threshold (LTC7000)

■ Current Monitor Output (LTC7000)

■ Automatic Restart Timer

■ Open-Drain Fault Flag

■ Adjustable Turn-On Slew Rate

■ Gate Driver Supply from 3.5V to 15V

■ Adjustable VIN Undervoltage and Overvoltage Lockouts (LTC7000)

■ Adjustable Driver Supply VCC Undervoltage Lockout

■ Low Shutdown Current: 1µA

■ CMOS Compatible Input

■ Thermally Enhanced, High Voltage Capable 16-Lead MSOP Packages

■ AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications

APPLICATIONS

■ Static Switch Driver

■ Load and Supply Switch Driver

■ Electronic Valve Driver

■ High Frequency High Side Gate Driver

产品属性

更多
  • 产品编号:

    LTC7000JMSE-1#PBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    3.5V ~ 135V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.8V,1.7V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    90ns,40ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-TFSOP(0.118",3.00mm 宽)12 引线,裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-MSOP-EP

  • 描述:

    FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS

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