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6362	文件：72.61 Kbytes Page：1 Pages	Component12X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
6362-C	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
6362-M	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
6362-V	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AN6362	文件：196.72 Kbytes Page：5 Pages	VTRCOLORAFCCIRCUIT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AN6362S	文件：196.72 Kbytes Page：5 Pages	VTRCOLORAFCCIRCUIT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AON6362	文件：238.07 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CEA6362	文件：513.99 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,5.2A,RDS(ON)=46mW@VGS=10V. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6362	文件：423.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,6A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHA6362-QXG	文件：1.05448 Mbytes Page：16 Pages	17.7-19.7GHzPowerAmplifier	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
DFD6362	文件：219.72 Kbytes Page：2 Pages	FullyAutomaticDicingSaw	DISCODISCO Corporation 迪斯科公司	DISCO
E6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
EN6362QI	文件：1.70819 Mbytes Page：21 Pages	DC-DCBuckwithIntegratedInductor	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EPE6362G	文件：43.86 Kbytes Page：2 Pages	10Base-TInterfaceModulewithEnhancedCommonModeAttenuation	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
HL6362MG	文件：102.37 Kbytes Page：5 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode Description TheHL6362MG/63MGare0.63µmbandAlGaInPlaserdiodeswithamulti-quantumwell(MQW)structure.Theyare suitableaslightsourcesforlaserdisplay,laserscannersandopticalequipmentformeasurement. Features •Visiblelightoutput:640nmTyp •Singlelongitudinalmode	OPNEXTOpnext. Inc. Opnext. Inc.	OPNEXT
L6362	文件：197.02 Kbytes Page：4 Pages	FullyintegrateddevicetransceiverIC Description TheL6362isamonolithicdualpushpullTransceiverfullycomplianttoPHY2(3wires)supportingCOM1(4.8kbaud),COM2(38.4kbaud)andCOM3(230.4kbaud)modes.C/QandI/Qoutputstagesareprogrammable:high-side,low-sideorpush-pull;alsocut-offcurrentandcutoffcurrentd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
L6362A	文件：1.22942 Mbytes Page：37 Pages	IO-LinkcommunicationtransceiverdeviceIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
LTC6362CDD
功能描述：
IC OPAMP DIFFERENTIAL R-R 8DFN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
1,000
放大器类型：
电压反馈
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
33 V/µs
增益带宽积：
20MHz
-3db带宽：
30MHz 电流 -
输入偏压：
2nA 电压 -
输入偏移：
3000µV 电流 -
电源：
2.5mA 电流 -
输出/通道：
30mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
14-SOIC
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LTC6362CDD供应商更新时间2024-6-3 16:53:00

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