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ADI原厂封装

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LTC4442EMS8E

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LTC4442EMS8E#PBF

ADI/亚德诺MSOP

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LTC4442IMS8E-1

LINEAR(凌特)原装

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代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

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生产厂家品牌为Linear的LTC4442EMS8E-1#PBF多少钱,想知道LTC4442EMS8E-1#PBF价格是多少?参考价:¥10.4876。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,LTC4442EMS8E-1#PBF批发价格及采购报价,LTC4442EMS8E-1#PBF销售排行榜及行情走势,LTC4442EMS8E-1#PBF报价。

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时在跟客户沟通时会有问到贴片电容是不是跟贴片电阻阻值表示方法一样? 跟大家简单介绍下贴片电容的容值和贴片电阻阻值的表示方法

LTC4442IMS8E-1#PBF中文资料Alldatasheet PDF

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LTC4442EMS8E#PBF功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥 输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1282(CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M

LTC4442EMS8E#TRPBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

LTC4442EMS8E-1#PBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

LTC4442EMS8E-1#TRPBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

LTC4442IMS8E#PBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063

LTC4442IMS8E#TRPBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063

LTC4442IMS8E-1#PBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063

LTC4442IMS8E-1#TRPBF功能描述:IC DRVR NCH MOSFET 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063