LTC4381中文资料具有浪涌保护的低静态电流电子保险丝数据手册ADI规格书

描述 Description

LTC4381 是一款用于低静态电流 eFuse 的集成解决方案，具有一个内部 9mΩ N 沟道 MOSFET。通过钳位内部9mΩ N通道MOSFET的栅极电压来提供过压保护，以便在过压事件期间（例如汽车负载突降）将输出电压限制在安全值。MOSFET安全工作区经过生产测试，确保能够承受高压瞬态应力。可以选择适用于12V和24V/28V系统的固定输出钳位电压。对于任何电压高达80V的系统，则使用可调钳位版本。

还提供过流保护。内部倍频器可生成与VDS和ID成正比的TMR引脚电流，以便根据MOSFET应力限制过流和过压条件下的工作时间。

GATE引脚可驱动背靠背MOSFET以实现反向输入保护，从而消除肖特基二极管解决方案的压降和功耗。6µA低工作电流特性适合始终导通和电池供电应用。

特性 Features

• 承受高达 100V 的浪涌电压

• 内部 9mΩN 通道 MOSFET

• 保证的安全操作区域：70V、1A 时，为 20ms

• 低静态电流：6μA 工作电流

• 通过汽车冷启动运行

• 宽工作电压范围：4V 至 72V

• 无需输入TVS

• 过流保护

• 可选内部 28.5V/47V 或可调输出钳位电压

应用 Application

• 汽车12V、24V和48V系统
• 航空电子/工业浪涌保护
• 热插拔/带电插入
• 电池供电系统的高端开关
• 汽车负载突降保护

简介

LTC4381属于电路保护的电涌抑制IC。由制造生产的LTC4381电涌抑制 IC电涌抑制 IC 可用于为电气设备提供过压和/或过流保护。该系列中的元器件采用半导体材料设计。特征包括钳位电压、技术、电路数、应用和安装类型。技术是外部或内部开关，电路数为 1、2、3 或 4。目标应用是汽车、以太网、通用、便携式设备、SLIC、USB、USB OTG 等。