LTC1982数据手册集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF

描述 Description

LTC®1981 / LTC1982 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10µA (对于 LTC1981 为 20µA)。

低静态电流和低停机电流 (低于 1µA) 使这些器件非常适合于电池供电系统和其他供电功率受限的系统。其宽输入电压范围可适应多种电池 / 输入配置。

栅极驱动电压在内部箝位于 7.5V，从而为外部 MOSFET 栅极提供了保护作用。MOSFET 可以采用高端或低端模式进行驱动。

LTC1981 单通道驱动器版本还包括一个 “栅极驱动就绪” 引脚，并具有两倍于双通道驱动器 LTC1982 的驱动电流能力。

LTC1981 采用 5 引脚 SOT-23 封装。LTC1982 采用 6 引脚 SOT-23 封装。

Applications蜂窝电话便携式 POS 终端手持式电池供电设备

特性 Features

• 无需外部组件

• 内部电压三倍器产生用于逻辑电平 FET 的高端栅极驱动电压

• 超低功率：
• 每个驱动器 10µA 的 ON 电流 (LTC1982)
•20µA ON 电流 (LTC1981)  
•<1µA 停机电流




• VCC 范围：1.8V 至 5V

• 在停机期间栅极驱动输出被驱动至地

• 栅极驱动输出在内部被箝位至 7.5V (最大值)

• “栅极驱动就绪” 输出 (LTC1981)

• 超小型应用电路

• 5 引脚 SOT-23 封装 (LTC1981)

• 6 引脚 SOT-23 封装 (LTC1982)

简介

LTC1982属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LTC1982栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。