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LTC1693中文资料高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书

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厂商型号

LTC1693

参数属性

LTC1693 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

功能描述

高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:16:00

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LTC1693规格书详情

描述 Description

LTC®1693 系列以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。

LTC1693-1 包含两个同相驱动器,而 LTC1693-2 则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。LTC1693-3 是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。

该系列的所有 MOSFET 驱动器均提供与 VCC 无关的 CMOS 输入门限和 1.2V 典型迟滞。它们能够对输入逻辑信号进行电平移位,以使之上升或下降至用于外部 MOSFET 的轨至轨 VCC 驱动电压。

LTC1693 包含一个欠压闭锁电路和一个热停机电路,它们在被激活时将停用外部 N 沟道 MOSFET 栅极驱动功能电路。

LTC1693-1 和 LTC1693-2 采用 8 引脚 SO 封装。LTC1693-3 采用 8 引脚 MSOP 封装。

特性 Features

• 采用 SO-8 封装的双路 MOSFET 驱动器或采用 MSOP 封装的单路 MOSFET 驱动器

• 双路驱动器之间的 1GΩ 电隔离允许高压侧 / 低压侧栅极驱动

• 1.5A 峰值输出电流

• 16ns 上升 / 下降时间 (在 VCC = 12V,CL = 1nF)

• 宽 VCC 范围:4.5V 至 13.2V

• 具迟滞的 CMOS 兼容型输入,输入门限与 VCC 无关

• 驱动器输入可被驱动至高于 VCC

• 欠压闭锁

• 热停机

简介

LTC1693属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的LTC1693栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    LTC1693-1CS8#TRPBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高压侧或低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 13.2V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.7V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    16ns,16ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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