LTC1155中文资料双通道、高端微功率 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
LTC1155 |
| 参数属性 | LTC1155 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | 双通道、高端微功率 MOSFET 驱动器 |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 22:58:00 |
| 人工找货 | LTC1155价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LTC1155规格书详情
描述 Description
LTC1155双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本N通道FET。内部电荷泵将栅极电压提升至正电源轨以上，无需外部元件即可全面增强N通道MOSFET。该器件以微功耗运行，提供8μA待机电流和85μA工作电流，用于几乎所有系统都能够实现高效率。
片内集成了过流检测功能，可在发生短路时自动关断。可增加与电流检测串联的延时，防止在电容和白炽灯等高浪涌负载上发生误触发。
LTC1155采用4.5V至18V电源工作，可安全驱动几乎所有FET的栅极。LTC1155非常适合低电压（电池供电）应用，特别是需要以微功耗“休眠”工作的应用。
LTC1155提供8引脚PDIP和8引脚SO两种封装。
特性 Features
• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
• 8μA 待机电流
• 85μA 导通电流
• 短路保护
• 宽电源范围：4.5V 至 18V
应用 Application
• 笔记本电脑电源总线切换
• SCSI 终端电源转换
• 蜂窝电话电源管理
• 替代 P 沟道开关
• 继电器和螺线管驱动器
• 低频半 H 桥
• 电机转速和转矩控制
简介
LTC1155属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LTC1155栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号：
LTC1155CS8#PBF
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
高端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
- 输入类型：
非反相
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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