LTC1154中文资料高压侧微功率 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
LTC1154 |
| 参数属性 | LTC1154 封装/外壳为8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
| 功能描述 | 高压侧微功率 MOSFET 驱动器 |
| 封装外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 22:58:00 |
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LTC1154规格书详情
描述 Description
LTC®1154 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现较高的效率。 在该芯片上集成了可编程过流检测电路。可以增加一个延时，以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。还提供了一个高态有效停机输入，并与一个标准的 PTC 热敏电阻直接相连，以实现热停机功能。提供了一个漏极开路输出，用于向 μP (微处理器) 报告开关状态。提供了一个低态有效使能输入，以控制编排成组的多个开关。 LTC1154 采用 8 引脚 DIP 和 8 引脚 SOIC 封装。
特性 Features
• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
• 8μA IQ 待机电流
• 85μA IQ 接通电流
• 无外部充电泵电容器
• 电源范围：4.5V 至 18V
• 短路保护功能
• 利用 PTC 热敏电阻实现了热停机功能
• 状态输出可指示停机模式
• 采用 8 引脚 SOIC 封装和 8 引脚 PDIP 封装
简介
LTC1154属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LTC1154栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号：
LTC1154CN8#PBF
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
高端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
- 输入类型：
非反相
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
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