具有超低噪声基准电压源的18V/8A降压型Silent Switcher 3

LT8625SP/LT8625SP-1同步降压型稳压器采用第三代Silent Switcher技术，并将超低噪声基准电压源与Silent Switcher架构相结合，以实现高效率和出色的宽带噪声性能。\n\n 该创新型超低噪声架构在开关稳压器中提供出色的低频（0.1Hz至100kHz）输出噪声性能。输出电压可用单个电阻编程，在输出范围内保持单位增益操作，可提供几乎恒定的输出噪声，而不受输出电压影响。\n\n Silent Switcher架构尽可能降低EMI辐射，并在高开关频率下提供高效率。封装顶部设有裸露芯片，可用于安装可选散热器，从而显著改善散热性能。\n\n • Silent Switcher® 3 架构\n• 超低有效值噪声（10Hz 至 100kHz）：4μVRMS\n• 超低点噪声：10kHz 时为 4nV/√Hz\n• 可在任何 PCB 上实现超低 EMI 发射\n• 内部旁路电容器可降低发射的 EMI\n• 在高频下具有高效率\n• 具有高增益误差放大器的超快瞬态响应\n• 输入电压范围：2.7V 至 18V\n• 输出电压范围：0V 至 (PVIN - 0.5V);

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亚德诺

具有超低噪声基准电压源的18V/8A降压型Silent Switcher 3

LT8625SP/LT8625SP-1同步降压型稳压器采用第三代Silent Switcher技术，并将超低噪声基准电压源与Silent Switcher架构相结合，以实现高效率和出色的宽带噪声性能。\n\n 该创新型超低噪声架构在开关稳压器中提供出色的低频（0.1Hz至100kHz）输出噪声性能。输出电压可用单个电阻编程，在输出范围内保持单位增益操作，可提供几乎恒定的输出噪声，而不受输出电压影响。\n\n Silent Switcher架构尽可能降低EMI辐射，并在高开关频率下提供高效率。封装顶部设有裸露芯片，可用于安装可选散热器，从而显著改善散热性能。\n\n • Silent Switcher® 3 架构\n\n• 超低有效值噪声（10Hz 至 100kHz）：4μVRMS\n\n• 超低点噪声：10kHz 时为 4nV/√Hz\n\n• 可在任何 PCB 上实现超低 EMI 发射\n\n• 内部旁路电容器可降低发射的 EMI\n\n\n\n• 在高频下具有高效率\n\n• 具有高增益误差放大器的超快瞬态响应\n\n• 输入电压范围：2.7V 至 18V\n\n• 输出电压范围：0V 至 (PVIN - 0.5V);

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