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FDMS86101	文件：250.52 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,49A,8m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86101	文件：294.01 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86101	文件：561.648 Kbytes Page：10 Pages	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流(Id)：12.4A功率(Pd)：2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,13AN沟道，PowerTrenchMOSFET，100V，60A，8mΩ此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 PDF上传者：深圳市亚泰盈科电子有限公司	ONSEMI
FDMS86101A	文件：310.9 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,60A,8m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86101DC	文件：1.16337 Mbytes Page：2 Pages	DUALCOOL??PACKAGEPOWERTRENCH짰MOSFETs DualCool™packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformanceﬂexibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86101DC	文件：291.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelDualCoolTMPowerTrench짰MOSFET100V,60A,7.5m廓 DualCool™packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformanceﬂexibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS86101DC	文件：294.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·PrimaryDC-DCMOSFET ·SecondarySynchronousRectifier ·LoadSwitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MA86101BAN	文件：240.39 Kbytes Page：6 Pages	HIGHFREQUENCYCERAMICCAPACITORS	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
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