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LT5526数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

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厂商型号

LT5526

参数属性

LT5526 封装/外壳为16-WQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器;产品描述:IC MIXR 1KHZ-2GHZ DWN CONV 16QFN

功能描述

高线性度、低功率下变频混频器
IC MIXR 1KHZ-2GHZ DWN CONV 16QFN

封装外壳

16-WQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:48:00

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LT5526规格书详情

描述 Description

LT®5526 是一款专为诸如点对点数据传输、电缆基础设施和无线基础设施系统等高线性度应用而优化的低功率宽带混频器。该器件包括一个用于驱动双平衡有源混频器内核的内部匹配高速 LO 放大器。一个集成 RF 缓冲器放大器可提供超群的 LO-RF 隔离度。RF 和 IF 端口能够容易地与诸多频率相匹配,以满足各种应用的要求。   

LT5526 为无源混频器提供了一种高性能的替代方案。与具有转换损耗且需要高 LO 驱动电平的无源混频器不同,LT5526 可在低得多的 LO 输入电平条件下提供转换增益,而且对 LO 功率电平变化的敏感度也低得多。

Applications 点对点数据通信系统 无线基础设施 电缆下行链路基础设施 高线性度接收器应用

特性 Features

• 工作频率高达 2GHz

• 宽带 RF、LO 和 IF 操作

• 高输入 IP3:在 900MHz 时为 +16.5dBm

• 典型转换增益:在 900MHz 时为 0.6dB

• SSB 噪声指数:在 900MHz 时为 11dB

• 片上 50Ω LO 匹配

• 集成 LO 缓冲器:-5dBm 驱动电平

• 高 LO-RF 和 LO-IF 隔离

• 低电源电流:28mA (典型值)

• 使能功能

• 单 5V 电源

• 16 引脚 QFN (4mm×4mm) 封装

简介

LT5526属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的LT5526射频混频器射频混频器又称混频器,这些器件具有三个端口,用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件,可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz,混频器数为 1、2、3 或 4。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    LT5526EUF#TRPBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 系列:

    LT5526

  • 包装:

    卷带(TR)带

  • 射频类型:

    通用

  • 频率:

    1kHz ~ 2GHz

  • 增益:

    0.6dB

  • 噪声系数:

    11dB

  • 辅助属性:

    降频变频器

  • 电流 - 供电:

    28mA

  • 电压 - 供电:

    3.6V ~ 5.3V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-WQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC MIXR 1KHZ-2GHZ DWN CONV 16QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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