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LT5512EUF#PBF

Package:16-WQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频混频器 描述:IC MIXER 1KHZ-3GHZ DWN 16QFN

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亚德诺

LT5512EUF#TRPBF

Package:16-WQFN 裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频混频器 描述:IC MIXER 1KHZ-3GHZ DWN 16QFN

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亚德诺

LX5512B

InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

DESCRIPTION The LX5512B is a power amplifier optimized for WLAN applications in the 2.4-2.5 GHz frequency range. The PA is implemented as a threestage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias and input/output pre-matching. The device is manufactured with an InGaP/GaAs Heter

文件:178.02 Kbytes 页数:6 Pages

Microsemi

美高森美

LX5512B

InGaP HBT 2.4 ??2.5 GHz Power Amplifier

文件:553.61 Kbytes 页数:8 Pages

Microsemi

美高森美

LX5512BLQ

InGaP HBT 2.4 - 2.5 GHz Power Amplifier

DESCRIPTION The LX5512B is a power amplifier optimized for WLAN applications in the 2.4-2.5 GHz frequency range. The PA is implemented as a threestage monolithic microwave integrated circuit (MMIC) with active bias and input/output pre-matching. The device is manufactured with an InGaP/GaAs Heter

文件:178.02 Kbytes 页数:6 Pages

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产品属性

  • 产品编号:

    LT5512EUF#TRPBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 系列:

    LT5512

  • 包装:

    托盘

  • 射频类型:

    手机,HF,ISM,PCS,UHF,VHF,WMTS

  • 频率:

    1kHz ~ 3GHz

  • 增益:

    1.1dB

  • 噪声系数:

    14dB

  • 辅助属性:

    降频变频器

  • 电流 - 供电:

    74mA

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.25V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-WQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC MIXER 1KHZ-3GHZ DWN 16QFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ADI(亚德诺)
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更多LT5512EUF供应商 更新时间2025-12-21 23:01:00