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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=8.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–6.0A) RDS(on)2=11.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–6.0A) RDS(on)3=12.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–6.0A) ·LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ·Built-inG-Sprotect

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