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LT1336CN	文件：365.74 Kbytes Page：16 Pages	Half-Bridge N-Channel Power MOSFET Driver with Boost Regulator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT1336CN#PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT1336CS	文件：365.74 Kbytes Page：16 Pages	Half-BridgeN-ChannelPowerMOSFETDriverwithBoostRegulator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT1336IN	文件：365.74 Kbytes Page：16 Pages	Half-BridgeN-ChannelPowerMOSFETDriverwithBoostRegulator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT1336IS	文件：365.74 Kbytes Page：16 Pages	Half-BridgeN-ChannelPowerMOSFETDriverwithBoostRegulator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MFE1336	文件：482.46 Kbytes Page：16 Pages	MFC1000ControllerandaConexantMONOFAXModemDevice. DeviceSet TheConexant™MFC1000DeviceSethardwareconsistsoftheConexantMFC1000ControllerandaConexantMONOFAXModemdevice.Thisdeviceset,alongwiththesupportingfirmwareandevaluationsystem,comprisesacompleteMultifunctionalPeripheralsystem–needingonlyapowersupply,scan	CONEXANT Synaptics Incorporated.	CONEXANT
MM1336	文件：88.79 Kbytes Page：3 Pages	ICforHeadphoneStereos(withvolume-limitingcircuit)MonolithicICMM1336 Outline ThisICwasdevelopedforusein3Vheadphonestereos.Inadditiontothebasicfunctionsrequiredbyheadphonestereos,itincorporatesacircuitforlimitingvolume.InsomepartsofEuropehearingimpairmentcausedbythehighvolumesofheadphonestereoshasbecomeaproblem,andth	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
MS1336	文件：105.6 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFMOBILEAPPLICATIONS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NCP1336	文件：1.00406 Mbytes Page：26 Pages	Quasi-ResonantCurrentModeControllerforHighPowerUniversalOff-LineSupplies	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP1336A	文件：1.02248 Mbytes Page：27 Pages	Quasi-ResonantCurrentModeControllerforHighPowerUniversalOff-LineSupplies TheNCP1336hostsahigh−performancecircuitryaimedto poweringquasi−resonantconverters.Capitalizingonanovel valley−lockoutsystem,thecontrollershiftsgearsandreducesthe switchingfrequencyasthepowerloadingbecomeslighter.This resultsinastableoperationdespiteswitching	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
LT1336CN
功能描述：
IC MOSFET DRVR 1/2BRDG NCH 16DIP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列：
-
标准包装：
5
配置：
低端
输入类型：
非反相
延迟时间：
600ns 电流 -
峰：
12A
配置数：
1
输出数：
1 高端电压 -
最大（自引导启动）：
-
电源电压：
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度：
-20°C ~ 60°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
21-SIP 模块
供应商设备封装：
模块
包装：
散装
配用：
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称：
835-1063

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