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LT1161中文资料受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书

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厂商型号

LT1161

参数属性

LT1161 封装/外壳为20-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC

功能描述

受保护的四通道高端 MOSFET 驱动器
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC

封装外壳

20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 13:28:00

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LT1161规格书详情

描述 Description

LT1161 是一款四通道高端栅极驱动器,它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道,这些通道各包含一个完全独立的充电泵,用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。

另外,在每个开关通道中还包括一个用于检测开关电流的漏极检测比较器。当开关电流超过预设水平时,开关被关断。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态,随后自动地尝试重新启动。如果故障仍然存在,则该循环将重复进行,直到故障被清除为止,从而起到保护 MOSFET 的作用。 

LT1161 专为那些有可能存在不良电源调节和 / 或瞬变的严酷工作环境而特别设计,例如:工业、航空电子和汽车应用。–15V 至 60V 的电源电压瞬变将不会对该器件造成损坏。

特性 Features

• 8V 至 48V 电源范围

• 提供了针对 –15V 至 60V 电源瞬变的保护

• 全面强化了 N 沟道 MOSFET 开关

• 个别短路保护

• 个别自动重启定时器

• 可编程电流限制、延迟时间和自动重启周期

• 电压受限的栅极驱动

• 在输入开路的情况下默认为 OFF 状态

• 直通式输入至输出引出脚配置

• 采用 20 引脚 DIP 封装或 SOL 封装

简介

LT1161属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的LT1161栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    LT1161CSW#PBF

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 48V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    20-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LT
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