LT1158中文资料半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器数据手册ADI规格书

描述 Description

LT®1158 上的单个输入引脚以一种图腾柱配置来同步地控制两个 N 沟道功率 MOSFET。由于内置了针对贯通电流的独特自适应保护电路，因而免除了对两个 MOSFET 的所有匹配要求。这极大地简化了高效率电动机控制和开关稳压器系统的设计。 LT1158 中的一个连续电流限制环路负责调节上端功率 MOSFET 中的短路电流。允许采用较高的启动电流，只要 MOSFET VDS 不超过 1.2V 即可。通过使 FAULT 故障输出返回至使能输入，LT1158 将在发生故障时自动关断，并在一个内部上拉电流完成对使能电容器的再充电时执行重试操作。 一个片内充电泵在需要的时候接入，以连续接通上端 N 沟道 MOSFET。该器件内置的特殊电路可确保上端栅极驱动器在 PWM 和 DC 操作之间的切换过程中得到安全的保护。当工作于较高的电源电压条件下时，在内部将栅极至源极电压限制为 14.5V。

 

Applications 高电流电感性负载的 PWM 半桥式和全桥式电动机控制 同步降压型开关稳压器 三相无刷电动机驱动器 高电流换能器驱动器 电池式逻辑电平 MOSFET  

特性 Features

• 可将上端 MOSFET 的栅极驱动至高于 V+

• 工作电源电压范围从 5V 至 30V

• 150ns 转换时间 (驱动 3000pF 容性负载)

• 峰值驱动器电流超过 500mA

• 自适应非重叠栅极驱动

• 连续电流限制保护功能

• 自动停机和重试能力

• 内部充电泵用于 DC 操作

• 内置栅极电压保护电路

• 与电流检测 MOSFET 兼容

• TTL/CMOS 输入电平

• 故障输出指示

简介

LT1158属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的LT1158栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。