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MC1001	文件：192.11 Kbytes Page：4 Pages	6-INPUTGATES	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MDDKBJ1001	文件：1.06256 Mbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS Features Surgeoverloadrating-210amperespeak Idealforprintedcircuitboard Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique PlasticmaterialhasU/Llammabilityclassification94V-0	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MG1001	文件：210.66 Kbytes Page：4 Pages	GUNNDiodesCathodeHeatSink	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MHT1001H	文件：551.84 Kbytes Page：10 Pages	RFPowerLDMOSTransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MJ1001	文件：139.27 Kbytes Page：4 Pages	Medium-PowerComplementarySiliconTransistors Medium-PowerComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=6000(Typ)@IC=3.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterShuntResistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ1001	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJ1001	文件：74.35 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ1001	文件：175.78 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS TheMJ900,MJ901,MJ1000andMJ1001aresiliconepitaxial-bastransistorsinmonolithic Darlingtonconfiguration,andaremountedinJEDECTO-3metalcase. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. TheircomplementaryNPNtypesaretheMJ1000andMJ1001respectively.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ1001	文件：118.78 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·ComplementtotypeMJ900/901 APPLICATIONS ·Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

详细参数

型号：
LT1001CDR
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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