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MMBD770	文件：284.11 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD770	文件：298.15 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features Extremelylowminoritycarrierlifetime. Verylowcapacitance. Lowreverseleakage. Applications Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD770	文件：52.06 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowReverseLeakage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD770W	文件：166.85 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODES VOLTAGE70Volts200mA FEATURES •Extremelylowminoritycarrierlifetime •Lowcapacitance(0.4pF@20Vtypical) •Lowreverseleakage(30nA@35Vtypical) .IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives •Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD770WS	文件：174.87 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODES VOLTAGE70Volts200mA FEATURES •Extremelylowminoritycarrierlifetime •Lowcapacitance(0.4pF@20Vtypical) •Lowreverseleakage(30nA@35Vtypical) .IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives •Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD770WS	文件：504.27 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODE(VoltageRange70VoltsPower200mWatts)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MMDL770	文件：106.58 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance—1.0pF@20V •LowReverseLeakage—200nA(max)	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MMDL770	文件：228.52 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDL770	文件：220.34 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL770	文件：207.8 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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详细参数

型号：
LST770-J
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
TOPLED RG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LST770-J供应商更新时间2025-7-18 15:58:00

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