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UPC2908HB	文件：93.8 Kbytes Page：20 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2908HB	文件：354.68 Kbytes Page：23 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Outputcurrentinexcessof1.0A •Lowdropoutvoltage VDIF=0.7VTYP.(IO=1A) •On-chipover-currentandthermalprotectioncircuit •On-chipoutputtransistorsafeoperatingareaprotectioncircuit	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPC2908T	文件：93.8 Kbytes Page：20 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2908T	文件：354.68 Kbytes Page：23 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Outputcurrentinexcessof1.0A •Lowdropoutvoltage VDIF=0.7VTYP.(IO=1A) •On-chipover-currentandthermalprotectioncircuit •On-chipoutputtransistorsafeoperatingareaprotectioncircuit	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
WSMS2908	文件：87.13 Kbytes Page：3 Pages	PowerMetalStrip®MeterShuntResistor,VeryLowValue(downto0.0001Ω) FEATURES •Highpowertoresistorsizeratio •5-terminalconnectiondesign •Useforsingleormulti-phaseenergymeters •Proprietaryprocessingtechniqueproduces extremelylowresistancevalues •Allweldedconstruction •Verylowinductance(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WSMS2908	文件：85.88 Kbytes Page：3 Pages	PowerMetalStrip®MeterShuntResistor,VeryLowValue(downto0.0001Ω)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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