丝印：SIC1MO170E0750；Package：TO-247-3L；1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET

Features • Optimized for high-frequency, high-efficiency applications • Extremely low gate charge and output capacitance • Low gate resistance for high-frequency switching • Normally-off operations at all temperatures Ultra-low on-resistance Applications • High-frequency applications • S

文件：515.2 Kbytes 页数：10 Pages

LITTELFUSE

力特

碳化硅MOSFET

• 通态电阻RDS(ON) 750mΩ (典型值） \n• 栅极电阻29Ω 典型值\n• 持续漏极电流 ~100°C下为4.4A \n• 反向二极管电流 25°C下为9A cont.\n• 工作温度 结温高达175°C;

Littelfuse

力特

BGA

LSI

上传：深圳市福安瓯科技有限公司

SOT-23

中性

上传：深圳广友电子有限公司

TO-92

中性

上传：深圳广友电子有限公司