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MBD4448W	文件：301.42 Kbytes Page：1 Pages	200mWSurfaceMountSwitchingDiodeCollectorcurrent250mA SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IO:250mA Collector-basevoltage VR:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	FCI Amphenol ICC	FCI
MCL4448	文件：87.8 Kbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode FastswitchingdiodeinMiniMELFcaseespeciallysuitedforautomaticsurfacemounting.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MCL4448	文件：383.95 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiode Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD323/SOT23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices1N4148and1N4448respectively •MicroMelfpackage •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECa	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MCL4448	文件：337.747 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MCL4448	文件：337.747 Kbytes Page：2 Pages	100VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MCL4448	文件：85.58 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGSURFACEMOUNTDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER500mW FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. MECHANICALDATA •Case:MICRO,MELF •Terminals:Solderableper	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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更多LS4448T/R供应商更新时间2024-6-19 16:00:00

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