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LS312中文资料Trans GP BJT NPN 60V 0.01A T/R数据手册NJS规格书

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厂商型号

LS312

参数属性

LS312 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途;LS312应用范围:通用放大,高频;产品描述:TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL

功能描述

Trans GP BJT NPN 60V 0.01A T/R

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :LS312

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Dual

  • Maximum Collector Base Voltage

    :60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.25@0.1mA@1mAV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :60(Min)V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.01A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :6V

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Power Dissipation

    :500mW

  • Maximum Transition Frequency

    :200(Min)MHz

  • Type

    :NPN

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