LPT16ED中文资料30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final数据手册Skyworks规格书

厂商型号 |
LPT16ED |
参数属性 | LPT16ED 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE |
功能描述 | 30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final |
封装外壳 | 模具 |
制造商 | Skyworks Skyworks Solutions Inc. |
中文名称 | 思佳讯 美国思佳讯公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-25 23:00:00 |
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LPT16ED规格书详情
简介
LPT16ED属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的LPT16ED晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
LPT16ED
- 制造商:
Skyworks Solutions Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
4V
- 频率 - 跃迁:
16GHz
- 增益:
5.2dB
- 功率 - 最大值:
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 20mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 描述:
RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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