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LPT16ED中文资料30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final数据手册Skyworks规格书

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厂商型号

LPT16ED

参数属性

LPT16ED 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE

功能描述

30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final
RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE

封装外壳

模具

制造商

Skyworks Skyworks Solutions Inc.

中文名称

思佳讯 美国思佳讯公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:00:00

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LPT16ED规格书详情

简介

LPT16ED属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的LPT16ED晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    LPT16ED

  • 制造商:

    Skyworks Solutions Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4V

  • 频率 - 跃迁:

    16GHz

  • 增益:

    5.2dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE

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