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LP6836P100-1

Packaged 0.25W Power PHEMT

DESCRIPTION AND APPLICATIONS The LP6836P100 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct-write 0.25 µm by 360 µm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate stru

文件:23.09 Kbytes 页数:2 Pages

FILTRONIC

LP78070SPF

ESOP8

LOWPOWER/微源

上传:深圳广友电子有限公司

LOWPOWER/微源

LP8340ILDX-ADJ

LLP-6

NS

LP8555YFQR

DSBGA36

TEXAS INSTRUMENTS

LP8556SQ-E00

WQFN-24

TI/德州仪器

上传:深圳市昊希电子有限公司

TI/德州仪器

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
LP6836P70-2
25+
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FILTRONIC
24+
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FILTRONIC
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更多LP6836P100-1供应商 更新时间2025-12-14 16:20:00