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LP0701LG-G规格书详情
General Description
These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a lateral MOS structure and Supertex’s well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and negative temperature coeffcient inherent in MOS devices.
特性 Features
► Ultra-low threshold
► High input impedance
► Low input capacitance
► Fast switching speeds
► Low on-resistance
► Freedom from secondary breakdown
► Low input and output leakage
Applications
► Logic level interfaces
► Solid state relays
► Battery operated systems
► Photo voltaic drives
► Analog switches
► General purpose line drivers
产品属性
- 型号：
LP0701LG-G
- 功能描述：
MOSFET 16.5V 1.5Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
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