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A614	文件：251.19 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-55V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-1A ·CollectorPowerDissipation-:PC=25W@TC=25℃ APPLICATIONS ·Designedformediumpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
A614ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
A614-Y	文件：251.19 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-55V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-1A ·CollectorPowerDissipation-:PC=25W@TC=25℃ APPLICATIONS ·Designedformediumpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ADXRS614	文件：746.01 Kbytes Page：12 Pages	짹50째/sYawRateGyro	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS614BBGZ	文件：746.01 Kbytes Page：12 Pages	짹50째/sYawRateGyro	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXRS614BBGZ-RL	文件：746.01 Kbytes Page：12 Pages	짹50째/sYawRateGyro	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN614	文件：1.47099 Mbytes Page：10 Pages	ASIMPLEALTERNATIVETOANALOGISOLATIONAMPLIFIERS	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AN614	文件：39.75 Kbytes Page：3 Pages	Videoamplifier,modulator/demodulatorIC ■Features •Differentialinputofmodulationsignalispossible. •Internallybiasedexceptformodulationsignalinputpin	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AN614	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AQW614	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)Type[2-Channel(FormAFormB)Type] PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Approx.1/2thespacecomparedwiththemountingofasetof1FormAand1FormBphotoMOSrelays 2.Applicablefor1FormA1FormBuseaswellastwoindependent1FormAand1FormBuse 3.Lowthermalelectromotiveforce(Approx.1µV) 4.Eliminat	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW614A	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	GU(GeneralUse)Type[2-Channel(FormAFormB)Type] PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Approx.1/2thespacecomparedwiththemountingofasetof1FormAand1FormBphotoMOSrelays 2.Applicablefor1FormA1FormBuseaswellastwoindependent1FormAand1FormBuse 3.Lowthermalelectromotiveforce(Approx.1µV) 4.Eliminat	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS

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更多LNK614PN供应商更新时间2024-5-17 13:20:00

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