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LND250K1 | N-Channel Depletion-Mode MOSFET Advanced DMOS Technology The LND2 is a high voltage N-channel depletion mode (normallyon) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND2 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, 文件:69.63 Kbytes 页数:2 Pages | SUTEX | SUTEX | |
LND250K1 | N-Channel Depletion-Mode MOSFET | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET 文件:436.77 Kbytes 页数:3 Pages | SUTEX | SUTEX | ||
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs 文件:580.93 Kbytes 页数:16 Pages | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | ||
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详细参数
- 型号:
LND250K1
- 功能描述:
MOSFET MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 1K Ohms
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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