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LND150N3GP002	文件：580.93 Kbytes Page：16 Pages	N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs 文件：580.93 Kbytes 页数：16 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
LNDN18N50	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220NF	龙腾上传：深圳市粤华信科技有限公司	龙腾
LNK302GN	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-7	POWER 微源半导体上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	POWER
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LNK304DG-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SO-8C	POWER 微源半导体上传：上海世强芯半导体有限公司	POWER

详细参数

型号：
LND150N3GP002
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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